生成式AI和各種大模型不斷迭代,已成為驅動(dòng)各種應用的核心,隨著(zhù)模型規模和復雜度不斷增加,對存儲設備也提出了更大挑戰。
我們借助DeepSeek深度思考和聯(lián)網(wǎng)搜索能力將“大模型快速迭代,對PCIe 5.0 SSD的核心需求是什么”輸入給DeepSeek后,它給出如下回復:“大模型的快速迭代對存儲系統提出了更高要求,尤其是PCIe 5.0 SSD作為關(guān)鍵數據載體,需在讀寫(xiě)性能、延遲、容量、可靠性等多維度全面突破,才能支撐大模型訓練/推理的實(shí)時(shí)性需求?!?span>
接下來(lái),我們將從以下幾個(gè)方向深入分析憶聯(lián)PCIe Gen5 ESSD UH812a/UH832a的卓越性能。
大模型建設進(jìn)程中,數據采集-清洗-訓練-存檔-推理場(chǎng)景具有典型的讀多寫(xiě)少、順序業(yè)務(wù)多、隨機業(yè)務(wù)少等特征。如果說(shuō)數據是核心燃料,那么企業(yè)級高性能SSD堪稱(chēng)“燃料傳送智慧樞紐”。當前,代際演進(jìn)至PCIe 5.0的憶聯(lián)UH812a/UH832a,采用PCIe 5.0接口,具備超高帶寬與低延遲,可提供1.6TB~15.36TB多種單盤(pán)容量選擇,有效滿(mǎn)足不同應用場(chǎng)景需求。
憶聯(lián)UH812a/UH832a采用企業(yè)級PCIe 5.0接口,數據吞吐效率是上一代(PCIe 4.0 SSD UH811a系列)的2倍,同時(shí)支持雙端口,為數據中心模型訓練、大數據應用、云計算服務(wù)、網(wǎng)絡(luò )連接等場(chǎng)景的存儲能力帶來(lái)質(zhì)的飛躍。同時(shí),該接口向后兼容舊版本,在提升存力性能的同時(shí)可顯著(zhù)降低服務(wù)器功耗,有助于企業(yè)在升級設備時(shí)保護原有投資并降低運營(yíng)成本。
在順序讀寫(xiě)方面,憶聯(lián)UH812a/UH832a 128KB順序讀快達14900MB/s,位列友商TOP1;順序寫(xiě)為10500MB/s,對比國際友商高69%,處于業(yè)內領(lǐng)先水平。在隨機讀寫(xiě)方面同樣表現出色,4KB隨機讀IOPS高達3500K,位列友商TOP1;隨機寫(xiě)IOPS為1000K,對比國際友商高52%,可輕松應對電商平臺的海量訂單數據處理、社交平臺的動(dòng)態(tài)信息讀寫(xiě)等場(chǎng)景,確保數據快速讀寫(xiě),高效保障平臺流暢運行。
在高性能計算環(huán)境中,憶聯(lián)UH812a/UH832a的超低時(shí)延特性突出。4K隨機讀QD1時(shí)延<55μs,相比上一代(PCIe 4.0 SSD UH811a系列)改善43%,4K隨機寫(xiě)性能位列友商TOP1,隨機讀對比國際友商優(yōu)25%。無(wú)論是運行復雜的模擬程序還是處理海量數據集,都能達到微秒級響應,為高性能計算與數據密集型應用筑牢根基。
在超大規模數據中心中,數據的存儲量呈指數級增長(cháng),未來(lái)可達PB-EB級別,存儲設備的可靠性顯得尤為關(guān)鍵。
嚴苛測試:依托于JEDEC標準,憶聯(lián)UH812a/UH832a可靠性測試覆蓋更全面、指標更嚴格,也是行業(yè)內首個(gè)通過(guò)中子測試的PCIe Gen5 ESSD。在高溫、高濕、中子輻照等惡劣環(huán)境下,憶聯(lián)UH812a/UH832a的測試結果顯示其在數據安全性和設備穩定性上更具優(yōu)勢。無(wú)論是數據中心日常運營(yíng),還是應對突發(fā)情況,都能為用戶(hù)提供可靠的數據存儲服務(wù),有效避免因設備故障導致的數據丟失和業(yè)務(wù)中斷。
出色算法:基于業(yè)界領(lǐng)先的 LDPC 算法,憶聯(lián)UH812a/UH832a具備超強的糾錯能力,能夠精準識別并修正數據傳輸與存儲過(guò)程中出現的各類(lèi)錯誤。同時(shí),超低延遲的解碼能力,極大提升了信息處理速率,確保SSD全生命周期性能穩定,整個(gè)周期內性能浮動(dòng)小于10%,為數據中心混合業(yè)務(wù)、中心云/邊緣云存儲業(yè)務(wù)的穩定、高效運行夯實(shí)存力底座。
置信度更高的MTBF&AFR:通過(guò)全生命周期高頻率采樣,結合ORT機制保障,使得MTBF(平均無(wú)故障工作時(shí)間)與AFR(年化故障率)的置信度更高。經(jīng)過(guò)嚴格測試與驗證,設備平均無(wú)故障工作時(shí)間≥250W小時(shí)、年化故障率≤0.35%,這些關(guān)鍵指標均處于行業(yè)領(lǐng)先地位,以卓越的數據表現有力支撐數據中心穩定、安全運行 。
? 高精度電壓檢測與智能算法:憶聯(lián)UH812a/UH832a采用高精度電壓檢測技術(shù),定期對全盤(pán) NAND cell工作狀態(tài)后臺采樣。借助智能算法和掃描結果,能高效獲取全盤(pán) NAND cell最優(yōu)開(kāi)啟電壓。即使遭遇SSD掉電,也能在上電后第一時(shí)間估算掉電時(shí)間并補償開(kāi)啟電壓,確保SSD控制器在任何場(chǎng)景下都能準確讀取數據。
? 高性能LDPC算法:憶聯(lián)的高性能LDPC算法,通過(guò)“列重、圖、環(huán)和陷阱集“四重優(yōu)化,賦予LDPC碼超強糾錯能力和小于1E-18的UBER(不可修復錯誤比特率)能力。高并行譯碼算法優(yōu)化后,即使在出錯數升高時(shí)也能保證譯碼成功率和帶寬。結合精細電壓管理和LDPC糾錯技術(shù),憶聯(lián)UH812a/UH832a能確保SSD的首次讀成功,無(wú)大幅帶寬波動(dòng)。
? 應對數據寫(xiě)入量的創(chuàng )新技術(shù):企業(yè)級SSD的一個(gè)挑戰在于巨大的數據寫(xiě)入量,隨著(zhù)高達3DWPD(每天寫(xiě)滿(mǎn)3次全盤(pán))的數據寫(xiě)入量,垃圾回收機制引發(fā)寫(xiě)放大,進(jìn)一步增加NAND實(shí)際寫(xiě)入量,導致NAND cell劣化,進(jìn)而影響設備性能和可靠性。憶聯(lián)UH812a/UH832a一方面通過(guò)NAND cell健康度識別增加整體數據寫(xiě)入量,另一方面通過(guò)智能數據識別并降低寫(xiě)放大,提升盤(pán)片健康度。同時(shí),通過(guò)健康監測技術(shù),能更早識別易劣化的NAND cell,結合動(dòng)態(tài)磨損均衡技術(shù),讓 “健壯” NAND 承受更多磨損,保護 “弱” NAND,提升SSD整體寫(xiě)入能力。
? 冷熱數據智能識別與分類(lèi):在SSD實(shí)際使用中,寫(xiě)入數據有 “冷”、“熱” 之分。憶聯(lián)的智能識別和分類(lèi)技術(shù),能在無(wú)用戶(hù)信息時(shí)識別寫(xiě)入數據熱點(diǎn),將冷熱數據分位置寫(xiě)入。垃圾回收時(shí),可顯著(zhù)降低有效數據回收量,減少盤(pán)片寫(xiě)放大,延長(cháng)盤(pán)片壽命。
隨著(zhù) SSD 主控芯片制程更加先進(jìn),服務(wù)器功耗和SSD散熱成為影響服務(wù)器性能、成本和可靠性的關(guān)鍵。為進(jìn)一步降低服務(wù)器功耗,對BMC功耗的控制策略要求也日漸提高。
在常規BMC調速策略聚焦調節溫度時(shí),憶聯(lián)通過(guò)創(chuàng )新SSD功耗檢測功能,讓服務(wù)器 BMC 同時(shí)監控溫度與功耗,構建更有效的服務(wù)器風(fēng)扇調速策略。
憶聯(lián)在SSD內部增設功耗檢測電路和專(zhuān)用電阻,在服務(wù)器運行時(shí),12V電壓經(jīng)檢測電阻產(chǎn)生微小壓降,通過(guò)采集、計算、放大,可精確算出SSD功耗數據。經(jīng)嚴格驗證,憶聯(lián)UH812a/UH832a功耗檢測誤差≤3%,且每秒刷新,具備實(shí)時(shí)檢測能力。功耗檢測結果則存儲在憶聯(lián)自定義smart信息內,用戶(hù)通過(guò)服務(wù)器BMC可直接查詢(xún)獲取其中SSD的實(shí)時(shí)功耗,有助于服務(wù)器散熱管理,降低能耗,進(jìn)而提升數據中心整體節能效率。
借助DeepSeek的深度思考,我們看到,憶聯(lián)PCIe Gen5 ESSD UH812a/UH832a從卓越性能、穩態(tài)可靠,到技術(shù)創(chuàng )新的存力飛躍路徑。憑借在企業(yè)級SSD領(lǐng)域的強勁創(chuàng )新能力,憶聯(lián)將持續推動(dòng)存儲技術(shù)演進(jìn),為企業(yè)在線(xiàn)核心業(yè)務(wù)、數據中心混合業(yè)務(wù)、云計算和大模型等各類(lèi)場(chǎng)景提供高效存儲解決方案,在PCIe 5.0時(shí)代,助力用戶(hù)釋放企業(yè)級智慧存力。
地址:深圳市南山區記憶科技后海中心B座19樓
電話(huà):0755-2681 3300
郵箱:support@unionmem.com