AH660產(chǎn)品亮點(diǎn)

8CH高端SSD產(chǎn)品
采用新一代SM2264主控
提供特性化定制服務(wù)，實(shí)現多模式多場(chǎng)景優(yōu)化
支持E2E路徑保護、2WL RAID等高可靠特性

高效傳輸，載入更快

順序讀取速度最高可達7100 MB/s^*，順序寫(xiě)入速度最高可達5500 MB/s^*
業(yè)務(wù)運行更流暢，游戲加載更快
* 適用于1TB容量點(diǎn)，詳見(jiàn)規格參數

支持E2E路徑保護、L2 PLP功能、SLC性能的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)寫(xiě)、2WL RAID等多種可靠性算法與特性
提供持久的可靠性能

支持低溫功耗L1.2功能，功耗小于5mW，可大幅提升終端設備的續航時(shí)間

規格參數

型號	AH660
形狀	M.2 2280-S3-M
容量	512GB	1TB
順序讀取	7100MB/s	7100MB/s
順序寫(xiě)入	4400MB/s	5500MB/s
隨機讀取IOPS（4KB）	820K	850K
隨機寫(xiě)入IOPS（4KB）	680K	700K
TLC順序寫(xiě)入	890MB/s	1850MB/s
TLC隨機寫(xiě)入IOPS（4KB）	235K	355K
尺寸	長(cháng)80±0.15mm 寬22±0.15mm 高2.38mm（最大）
重量	最大8g
功耗	L1.2：<5mW 空閑：<60mW 工作：<180mW
總線(xiàn)接口	PCIe Gen 4*4
NVMe標準	NVMe 1.4
溫度	工作：0℃~70℃ 非工作：-40℃~85℃ Note: Measured by SMART Temperature and proper airflow recommended.
濕度	5%~95%，無(wú)冷凝
平均無(wú)故障工作時(shí)間	200萬(wàn)小時(shí)
沖擊	工作：半正弦波，1000G@1ms，6面非工作：半正弦波，1500G@0.5ms，6面
振動(dòng)	工作：隨機振動(dòng)，5Grms，2~2000Hz，3軸非工作：隨機振動(dòng)，7Grms, 2~500Hz，3軸
供電電壓	3.3V±5%
紋波/噪聲	≤100mV

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