UH810a/UH830a產(chǎn)品亮點

支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議
存儲容量高達(dá) 7.68TB（U.2），專為高可用系統(tǒng)設(shè)計
采用12nm自研控制器，先進(jìn)的制程工藝，性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技術(shù)，將熱數(shù)據(jù)流與冷數(shù)據(jù)流分層存儲，提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本
順序讀寫性能7000/4200 MB/s，隨機(jī)讀寫性能1600K/300K IOPS
超低延遲和高質(zhì)量服務(wù)（QoS）
卓越的企業(yè)級可靠性：閃存RAID、端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)、高級ECC、安全擦除、電源損失保護(hù)

卓越性能

支持PCIe Gen 4高速接口，采用憶聯(lián)自研主控和固件。其中，主控在關(guān)鍵數(shù)據(jù)路徑設(shè)置了多個硬件加速模塊，順序讀寫性能7000/4200 MB/s，隨機(jī)讀寫性能1600K/300K IOPS，平均讀寫時延僅96/14 μs，讀寫延遲、QoS等性能均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

極致體驗

采用多種智能算法，支持可變扇區(qū)、多流、原子寫、QoS等增強(qiáng)特性，動態(tài)、靜態(tài)結(jié)合磨損平衡算法有效延長硬盤壽命，雙重固件備份升級機(jī)制和掉電保護(hù)機(jī)制為客戶核心數(shù)據(jù)保駕護(hù)航。

易于維護(hù)

支持1s固件升級在線激活，無需重新上下電。
支持通知熱插拔、暴力熱插拔，支持行業(yè)主流開源工具。

規(guī)格參數(shù)

型號	UH810a			UH830a
閃存介質(zhì)	3D eTLC
容量	1.92TB	3.84TB	7.68TB	1.6TB	3.2TB	6.4TB
順序讀取（128KB）	7000MB/s	7000MB/s	7000MB/s	7000MB/s	7000MB/s	7000MB/s
順序?qū)懭耄?/span>128KB）	2500MB/s	3800MB/s	3800MB/s	2700MB/s	4200MB/s	4200MB/s
隨機(jī)讀取IOPS（4KB）	1300K	1600K	1600K	1500K	1660K	1660K
隨機(jī)寫入IOPS（4KB）	100K	150K	150K	300K	300K	300K
數(shù)據(jù)寫入總量	3.50PB	7.01PB	14.02PB	8.76PB	17.52PB	35.04PB
基本功能
平均讀取時延（4KB）	96μs			96μs
平均寫入時延（4KB）	17μs			14μs
耐用等級（4K隨機(jī)）	1 DWPD			3 DWPD
功耗（靜態(tài)/最大）	8.5W/21W
形態(tài)	U.2
扇區(qū)大小	支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇區(qū)
掉電保護(hù)	支持
產(chǎn)品升級	支持通過NVMe命令
可靠性
不可修復(fù)錯誤率	e10-17
平均無故障工作時間	200萬小時
年失效率	0.44%
數(shù)據(jù)保留（電源關(guān)閉）	40℃，大于3個月
質(zhì)保期限	5年（不超過數(shù)據(jù)寫入總量）
標(biāo)準(zhǔn)
接口協(xié)議	PCIe Gen 44，NVMe 1.4，SP4
TRIM	支持
環(huán)境參數(shù)
存儲溫度	-40℃～85℃
工作溫度	0℃~78℃
濕度	5%~95%相對濕度，無冷凝
海拔	工作：-305米~3048米非工作：-305米~12192米
振動	工作：2.17千兆赫（5 ~ 700赫茲）存儲：3.13千兆赫（5 ~ 800赫茲）
沖擊	1000G@0.5ms（半正弦波）
供電	DC 12V，+/-10%
沖擊電流（最大值）	<3A@1s
外觀
尺寸	2.5英寸
重量	<350g

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卓越性能

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深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司

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