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UH810a/UH830a產(chǎn)品亮點(diǎn)

支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標準協(xié)議
存儲容量高達 7.68TB(U.2),專(zhuān)為高可用系統設計
采用12nm自研控制器,先進(jìn)的制程工藝,性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技術(shù),將熱數據流與冷數據流分層存儲,提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本
順序讀寫(xiě)性能7000/4200 MB/s,隨機讀寫(xiě)性能1600K/300K IOPS
超低延遲和高質(zhì)量服務(wù)(QoS)
卓越的企業(yè)級可靠性:閃存RAID、端到端數據路徑保護、高級ECC、安全擦除、電源損失保護


卓越性能

支持PCIe Gen 4高速接口,采用憶聯(lián)自研主控和固件。其中,主控在關(guān)鍵數據路徑設置了多個(gè)硬件加速模塊,順序讀寫(xiě)性能7000/4200 MB/s,隨機讀寫(xiě)性能1600K/300K IOPS,平均讀寫(xiě)時(shí)延僅96/14 μs,讀寫(xiě)延遲、QoS等性能均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

極致體驗

采用多種智能算法,支持可變扇區、多流、原子寫(xiě)、QoS等增強特性,動(dòng)態(tài)、靜態(tài)結合磨損平衡算法有效延長(cháng)硬盤(pán)壽命,雙重固件備份升級機制和掉電保護機制為客戶(hù)核心數據保駕護航。

易于維護

支持1s固件升級在線(xiàn)激活,無(wú)需重新上下電。
支持通知熱插拔、暴力熱插拔,支持行業(yè)主流開(kāi)源工具。


規格參數


型號

UH810a

UH830a

閃存介質(zhì)

3D eTLC

容量

1.92TB

3.84TB

7.68TB

1.6TB

3.2TB

6.4TB

順序讀?。?/span>128KB

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

順序寫(xiě)入(128KB

2500MB/s

3800MB/s

3800MB/s

2700MB/s

4200MB/s

4200MB/s

隨機讀取IOPS4KB

1300K

1600K

1600K

1500K

1660K

1660K

隨機寫(xiě)入IOPS4KB

100K

150K

150K

300K

300K

300K

數據寫(xiě)入總量

3.50PB

7.01PB

14.02PB

8.76PB

17.52PB

35.04PB

基本功能

平均讀取時(shí)延(4KB

96μs

96μs

平均寫(xiě)入時(shí)延(4KB

17μs

14μs

耐用等級(4K隨機)

1 DWPD

3 DWPD

功耗(靜態(tài)/最大)

8.5W/21W

形態(tài)

U.2

扇區大小

支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇區

掉電保護

支持

產(chǎn)品升級

支持通過(guò)NVMe命令

可靠性

不可修復錯誤率

e10-17

平均無(wú)故障工作時(shí)間

200萬(wàn)小時(shí)

年失效率

0.44%

數據保留(電源關(guān)閉)

40℃,大于3個(gè)月

質(zhì)保期限

5年(不超過(guò)數據寫(xiě)入總量)

標準

接口協(xié)議

PCIe Gen 4*4,NVMe 1.4,SP*4

TRIM

支持

環(huán)境參數

存儲溫度

-40℃~85

工作溫度

0~78

濕度

5%~95%相對濕度,無(wú)冷凝

海拔

工作:-305~3048

非工作:-305~12192

振動(dòng)

工作:2.17千兆赫(5 ~ 700赫茲)

存儲:3.13千兆赫(5 ~ 800赫茲)

沖擊

1000G@0.5ms(半正弦波)

供電

DC 12V,+/-10%

沖擊電流(最大值)

<3A@1s

外觀(guān)

尺寸

2.5英寸

重量

<350g





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