近日，憶聯(lián)“基于3D閃存的嵌入式存儲芯片項目”獲得深圳市科創(chuàng )委批準立項，將進(jìn)行研發(fā)創(chuàng )新和產(chǎn)業(yè)化應用。

公開(kāi)資料顯示，3D NAND是一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把存儲單元堆疊在一起來(lái)解決2D或平面NAND閃存帶來(lái)的限制，代表了NAND Flash未來(lái)發(fā)展的方向，已成為各國大力投入研發(fā)積極強占的高地。該芯片具有相比以往更大的存儲容量、更高的擦寫(xiě)速度和更長(cháng)的壽命，實(shí)現海量存儲的核心，成為大容量存儲的主要選擇。項目的研發(fā)將很好地彌補我國在存儲芯片領(lǐng)域受制于人的短板，提升國產(chǎn)芯片的整體實(shí)力。

2017年成立以來(lái)，憶聯(lián)持續加大研發(fā)投入，使技術(shù)優(yōu)勢顯著(zhù)增強。經(jīng)過(guò)3年多的努力，自主研發(fā)控制器已成為憶聯(lián)最具代表性的核心技術(shù)之一，處于業(yè)界領(lǐng)先水平，并應用于RM540等嵌入式存儲產(chǎn)品，獲得政府部門(mén)的認可則是實(shí)至名歸。