近日，憶聯“基于3D閃存的嵌入式存儲芯片項目”獲得深圳市科創委批準立項，將進行研發創新和產業化應用。

公開資料顯示，3D NAND是一種新興的閃存類型，通過把存儲單元堆疊在一起來解決2D或平面NAND閃存帶來的限制，代表了NAND Flash未來發展的方向，已成為各國大力投入研發積極強占的高地。該芯片具有相比以往更大的存儲容量、更高的擦寫速度和更長的壽命，實現海量存儲的核心，成為大容量存儲的主要選擇。項目的研發將很好地彌補我國在存儲芯片領域受制于人的短板，提升國產芯片的整體實力。

2017年成立以來，憶聯持續加大研發投入，使技術優勢顯著增強。經過3年多的努力，自主研發控制器已成為憶聯最具代表性的核心技術之一，處于業界領先水平，并應用于RM540等嵌入式存儲產品，獲得政府部門的認可則是實至名歸。