2022年，全球閃存市場(chǎng)面臨新一輪的變革。一方面，NAND廠(chǎng)商供應能力持續增長(cháng)，主要廠(chǎng)商的供應能力節節攀升，但其增速已出現分化，隨著(zhù)行業(yè)整合不斷加速，市場(chǎng)競爭格局將有較大調整。另一方面，在新基建、中國制造2025、自主可控等國家政策推動(dòng)下，中國區閃存市場(chǎng)快速增長(cháng)，同時(shí)中美貿易摩擦與技術(shù)脫鉤風(fēng)險加劇，建立國內自主可控的閃存供應鏈已極為緊迫。

在這種情勢下，憶聯(lián)（Union Memory）于近日發(fā)布三款固態(tài)硬盤(pán)新品，包括UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD，標志著(zhù)憶聯(lián)在企業(yè)級、消費級存儲市場(chǎng)均取得了新的突破。面對變革期的全球閃存市場(chǎng)，憶聯(lián)依托自研控制器、固件設計、封裝測試等核心技術(shù)，持續推出高性能、低延遲、高可靠性且各具差異化競爭力的固態(tài)硬盤(pán)新品，志在引領(lǐng)固態(tài)存儲行業(yè)新升級。

憶聯(lián)UH811a/UH831a：采用12nm自研控制器與智能多流技術(shù)，順序讀取速度高達7000/4200 MB/s，隨機讀寫(xiě)速度高達1600K/300K IOPS

憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標準協(xié)議，搭載YMTC 128L 3D eTLC閃存顆粒，順序讀取速度高達7000/4200 MB/s，隨機讀寫(xiě)速度高達1600K/300K IOPS。同時(shí)，其存儲容量高達 7.68TB（U.2），專(zhuān)為高可用系統設計，并擁有超低延遲和高質(zhì)量服務(wù)（QoS），平均讀寫(xiě)時(shí)延低至96/14 μs。

值得一提的是，憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD采用12nm自研控制器，先進(jìn)的制程工藝，性能更高而功耗、成本更低。而且，基于智能多流技術(shù)，將熱數據流與冷數據流分層存儲，提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本。

憶聯(lián)AM630系列CSSD采用PCIe Gen 4高速接口，是業(yè)界首款面向ODM客戶(hù)的PCIe Gen 4 CSSD。其順序讀寫(xiě)速度高達3200/2400 MB/s，隨機讀寫(xiě)速度高達420K/340K IOPS，滿(mǎn)足個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)級個(gè)人電腦等應用需求。同時(shí)，其擁有M.2.2242與M.2.2280兩種規格，容量高達1TB，L1.2功耗小于3mW，空閑功耗小于50mW，工作功耗小于150mW，顯著(zhù)提升設備續航時(shí)間。

憶聯(lián)AM521系列CSSD采用PCIe接口，順序讀寫(xiě)速度高達2100/900 MB/s、SLC隨機讀寫(xiě)速度高達156K/174K IOPS、TLC隨機讀寫(xiě)速度高達90K/39K IOPS。同時(shí)，其擁有128GB、256GB兩種容量，重量最大僅3.5g，工作功耗小于4W，是各類(lèi)追求高性?xún)r(jià)比應用的絕佳選擇。

目前，憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD均已實(shí)現量產(chǎn)。隨著(zhù)這三大更具競爭力的新品推出，憶聯(lián)將為服務(wù)器、數據中心、個(gè)人電腦等應用提供更高性能、更低延遲、更高可靠性的解決方案，助力互聯(lián)網(wǎng)、信創(chuàng )行業(yè)、消費電子客戶(hù)實(shí)現商業(yè)成功。